掃描電鏡透射電鏡操作“避坑指南”

更新時間：2025-11-24

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　　掃描電鏡透射電鏡是材料表征的核心設(shè)備，操作精度要求較高，任何細(xì)節(jié)疏漏都可能導(dǎo)致樣品損壞、數(shù)據(jù)失真甚至設(shè)備故障。這份“避坑指南”針對兩類電鏡的共性風(fēng)險與專屬痛點，從樣品制備、開機(jī)調(diào)試、成像操作到關(guān)機(jī)維護(hù)，梳理關(guān)鍵“坑點”及規(guī)避方案，助力實驗高效安全開展。

　　一、樣品制備：規(guī)避“源頭性失效”風(fēng)險

　　樣品問題是電鏡操作的首要“坑點”，兩類電鏡需各有側(cè)重。SEM避坑核心是“導(dǎo)電與干燥”：絕緣樣品（如聚合物、陶瓷）未做噴金/噴碳處理，會導(dǎo)致電荷積累，成像出現(xiàn)亮斑或漂移，需根據(jù)樣品尺寸選擇合適的鍍膜厚度（通常5-20nm）；潮濕或含揮發(fā)性成分的樣品（如生物組織、凝膠）未全干燥，會污染真空系統(tǒng)，需通過冷凍干燥或臨界點干燥處理，避免直接放入鏡筒。

　　TEM避坑關(guān)鍵在“薄與凈”：樣品厚度超過100nm會導(dǎo)致電子束無法穿透，需用離子減薄或超薄切片技術(shù)控制厚度，金屬樣品需薄至50nm以下；樣品表面殘留研磨粉或清洗液，會在電子束轟擊下形成污染斑，需用無水乙醇超聲清洗后，用鑷子頂端輕取，避免手指接觸。此外，磁性樣品未做消磁處理，會吸附在物鏡上，需提前通過消磁儀處理，確保磁性消失。

　　二、開機(jī)與調(diào)試：避開“設(shè)備損傷”雷區(qū)

　　開機(jī)階段操作不當(dāng)易引發(fā)不可逆損傷。共性避坑點：未檢查真空度直接升高壓，會導(dǎo)致電子槍放電，需確認(rèn)真空系統(tǒng)達(dá)到規(guī)定值（SEM真空度≥10?³Pa，TEM高真空≥10??Pa）后再啟動高壓；忽視樣品臺歸零，直接移動樣品臺可能碰撞物鏡，開機(jī)前需將樣品臺復(fù)位至初始位置，并用低倍鏡校準(zhǔn)。

　　專屬避坑點：SEM的電子槍燈絲未預(yù)熱直接加高壓，會縮短燈絲壽命，需先進(jìn)行3-5分鐘預(yù)熱，待燈絲穩(wěn)定后再調(diào)節(jié)高壓值；TEM的聚光鏡光闌未對中就調(diào)焦，會導(dǎo)致電子束偏移，需先通過光闌對中旋鈕將電子束聚焦于視場中心，再進(jìn)行后續(xù)操作。

　　三、成像操作：防范“數(shù)據(jù)失真”陷阱

　　成像過程中的參數(shù)設(shè)置與操作手法，直接影響數(shù)據(jù)可靠性。SEM避坑：過度追求高放大倍數(shù)而忽視工作距離，會導(dǎo)致成像模糊，需根據(jù)放大倍數(shù)匹配工作距離（如1000倍對應(yīng)工作距離10-15mm）；未調(diào)節(jié)對比度與亮度就拍照，會丟失細(xì)節(jié)信息，需通過灰度直方圖將信號強(qiáng)度調(diào)節(jié)至合適范圍。

　　TEM避坑：選區(qū)電子衍射時未縮小選區(qū)光闌，會導(dǎo)致衍射斑重疊，需根據(jù)樣品區(qū)域大小選擇對應(yīng)尺寸的光闌；長時間聚焦同一區(qū)域，電子束損傷會導(dǎo)致樣品結(jié)構(gòu)變化（如聚合物結(jié)晶度改變），需移動樣品臺更換區(qū)域，避免單點長時間照射。此外，兩類電鏡都需避免頻繁切換放大倍數(shù)，防止鏡筒內(nèi)氣流波動影響成像穩(wěn)定性。

　　四、關(guān)機(jī)與維護(hù)：遠(yuǎn)離“遺留隱患”問題

　　關(guān)機(jī)操作的疏漏會為下次使用埋下隱患。核心避坑點：未降高壓直接關(guān)真空，會污染電子槍，需先將高壓降至0kV，再關(guān)閉真空系統(tǒng)；樣品未取出就關(guān)機(jī)，會導(dǎo)致樣品在真空環(huán)境中老化，需將樣品臺移出鏡筒，取出樣品并清潔樣品室。

　　日常維護(hù)避坑：SEM的二次電子探測器窗口未定期清潔，會導(dǎo)致信號衰減，需每月用洗耳球吹除灰塵；TEM的物鏡光闌易堆積碳污染，需每季度由專業(yè)人員拆解清潔，非專業(yè)人員嚴(yán)禁擅自拆卸。同時，需做好使用記錄，標(biāo)注樣品類型、高壓值及異常情況，為設(shè)備維護(hù)提供依據(jù)。

　　電鏡操作的“避坑”核心，在于“敬畏設(shè)備、規(guī)范操作”，無論是新手還是熟手，都需嚴(yán)格遵循操作規(guī)程，關(guān)注細(xì)節(jié)差異，才能既保障設(shè)備安全，又獲得精準(zhǔn)可靠的實驗數(shù)據(jù)。