簡(jiǎn)要描述：簡(jiǎn)要描述：電漿原子層沉積設(shè)備是一種基于常規(guī)ALD的方法，其利用電漿作為裂化前驅(qū)物材料的條件，而不是僅依靠來(lái)自加熱基板的熱能。

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電漿原子層沉積設(shè)備（PEALD）是一種基於常規(guī)ALD的方法，其利用電漿作為裂化前驅(qū)物材料的條件，而不是僅依靠來(lái)自加熱基板的熱能。製程中只需靠電漿來(lái)進(jìn)行裂化前驅(qū)物材料，無(wú)需高溫來(lái)傳遞必要的活化能。SYSKEY的系統(tǒng)可以精準(zhǔn)的控制電漿與ALD的製程，薄膜的厚度和均勻度皆+/- 1％。

電漿原子層沉積設(shè)備

電漿原子層沉積設(shè)備參數(shù)：

應(yīng)用領(lǐng)域	腔體
高k值之氧化物。 OLED和矽太陽(yáng)能電池的鈍化層。微機(jī)電系統(tǒng)。納米電子學(xué)。納米孔結(jié)構(gòu)薄膜。光學(xué)薄膜。薄膜封裝技術(shù)。	鋁腔或者不銹鋼腔體，其佔(zhàn)地面積小，可縮短製程時(shí)間。通過(guò)使用水冷系統(tǒng)、加熱器或加熱包來(lái)控制腔體溫度。
配置和優(yōu)點(diǎn)	選件
客製化的基板尺寸，直徑可達(dá)300mm晶圓。優(yōu)異的薄膜均勻度小於±1％。較高的深寬比和複雜結(jié)構(gòu)具有相同特性之薄膜沉積。遠(yuǎn)程等離子體電漿源。前驅(qū)物材料可多達(dá)6種並可分別加熱到200°C。快速脈衝的氣體輸送閥，反應(yīng)時(shí)間為10毫秒。通過(guò)穩(wěn)定的溫度控制，將基板載盤(pán)加熱到800°C。材料：Al2O3, HfO2, SiO2, TiO2, Ta2O5, ZnO, AZO, HfO2, SiO2 , TiO2, GaO2, AlN, SiN, Pt…等等。	可以與傳送腔、機(jī)械手臂和手套箱整合在一起。橢圓偏振光譜儀。高真空傳送系統(tǒng)。

電漿原子層沉積設(shè)備

應(yīng)用領(lǐng)域	腔體
高k值之氧化物。 OLED和矽太陽(yáng)能電池的鈍化層。微機(jī)電系統(tǒng)。納米電子學(xué)。納米孔結(jié)構(gòu)薄膜。光學(xué)薄膜。薄膜封裝技術(shù)。	鋁腔或者不銹鋼腔體，其佔(zhàn)地面積小，可縮短製程時(shí)間。通過(guò)使用水冷系統(tǒng)、加熱器或加熱包來(lái)控制腔體溫度。
配置和優(yōu)點(diǎn)	選件
客製化的基板尺寸，直徑可達(dá)300mm晶圓。優(yōu)異的薄膜均勻度小於±1％。較高的深寬比和複雜結(jié)構(gòu)具有相同特性之薄膜沉積。遠(yuǎn)程等離子體電漿源。前驅(qū)物材料可多達(dá)6種並可分別加熱到200°C。快速脈衝的氣體輸送閥，反應(yīng)時(shí)間為10毫秒。通過(guò)穩(wěn)定的溫度控制，將基板載盤(pán)加熱到800°C。材料：Al2O3, HfO2, SiO2, TiO2, Ta2O5, ZnO, AZO, HfO2, SiO2 , TiO2, GaO2, AlN, SiN, Pt…等等。	可以與傳送腔、機(jī)械手臂和手套箱整合在一起。橢圓偏振光譜儀。高真空傳送系統(tǒng)。

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簡(jiǎn)要描述：簡(jiǎn)要描述：電漿原子層沉積設(shè)備是一種基于常規(guī)ALD的方法，其利用電漿作為裂化前驅(qū)物材料的條件，而不是僅依靠來(lái)自加熱基板的熱能。

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