簡要描述：簡要描述：低真空化學(xué)氣相沉積設(shè)備是一種化學(xué)氣相沉積技術(shù)，利用熱能在基板表面上引發(fā)前驅(qū)氣體的反應(yīng)。表面的反應(yīng)是形成固化材料的原因。

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低真空化學(xué)氣相沉積設(shè)備是一種化學(xué)氣相沉積技術(shù)，利用熱能在基板表面上引發(fā)前驅(qū)氣體的反應(yīng)。表面的反應(yīng)是形成固化材料的原因。低真空用於減少氣相反應(yīng)，還可以提高整個(gè)基板的均勻性。除此之外，該過程取決於溫度控制，過程溫度越高，維持性越好。與大氣壓下的傳統(tǒng)CVD製程相比，低真空化學(xué)氣相沉積設(shè)備：每批製程可裝載更多的晶圓（每批100-200個(gè)晶圓）、晶圓內(nèi)的厚度均勻性得到了改善（<±3％），並且降低生產(chǎn)成本。SYSKEY的系統(tǒng)可以精準(zhǔn)的控制製程氣體與監(jiān)控其數(shù)據(jù)(壓力、載臺(tái)溫度)，並提供高品質(zhì)的薄膜。

參數(shù)

應(yīng)用領(lǐng)域	腔體
· 碳納米管和石墨烯的製程。 · · SiOx、SiNx、a-Si、DLC和其他薄膜 · 製程。 · · 熱退火。 · · 擴(kuò)散製程。 · · 氧化製程。 ·	· 加熱爐配置：水平或垂直，結(jié)合 · 傳送機(jī)構(gòu)。 ·
配置和優(yōu)點(diǎn)	選件
· 客製化的基板尺寸，直徑可達(dá)8寸 · 晶圓。 · · 單載片或多載片。 · · 優(yōu)異的薄膜均勻度小於±5％。 · · 精準(zhǔn)流量控制器，氣體分佈高度均勻，最多可容納10條氣體管線。 · · 穩(wěn)定的溫度控制，可將載盤加熱至1700°C。 ·	· 可以與傳送腔(單載臺(tái)或多載臺(tái))整 · 合在一起。 ·

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簡要描述：簡要描述：低真空化學(xué)氣相沉積設(shè)備是一種化學(xué)氣相沉積技術(shù)，利用熱能在基板表面上引發(fā)前驅(qū)氣體的反應(yīng)。表面的反應(yīng)是形成固化材料的原因。

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